SJT 10639-1995 石英晶体元件术语
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ID： |
61DC92B376284DAFA5EDB7BA71A0C112 |
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文件大小(MB)： |
0.19 |
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页数： |
11 |
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日期： |
2009-6-11 |
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SJ,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 10639一1995,石英晶体元件术语,Quartz crystal unit terms,1995-04-22发布1995-10-01实施,中华人民共和国电子工业部发布,中华人民共和国电子行业标准,S1/T 10639-1995,石英晶体元件术语代替Si 1581-80,Quartz crystal unit terms,主题内容与适用范围,1 主题内容,本 标准规定了电子技术中频率控制与选择用石英晶体元件的名词术语,2 适用范围,本 标准适用于科研、生产及商贸等领域所使用的石英晶体元件术语,2 引用标准,S7/Z 9157-87(IEC 302) 工作频率达30MH:的压电振子的标准定义和测量方法,一般术语,3.1 晶体切型orystal out,石 英 晶 片相对于石英晶体晶轴的取向,注 :此 取 向相对于晶轴的角度称切角,3.2 石英晶片。rystal element,切 割加 工 成一定几何形状、尺寸并相对晶轴有一定取向的压电体,3.3 石英晶体毛片quartz orystal blank,从 石 英 晶体上直接切割下来未经研磨加工的石英晶片,3.4 电极electrode,与 晶 片 表面接近或接触的导电板或导电膜，通过它给晶片施加电场,3.5 晶体振子。rystal unit,具 有 电 极的石英晶片,3.6 石英晶体元件orystal unit,由晶 体 盒 及装入其中的晶体振子所组成的具有频率选择和控制特性的电子元件,3.7 谐振件resonance unit,由支 架 和 晶体振子装配成的单元,3.8 支架mounting system,支 撑 晶 体振子并使电极引出的部件,3.9 振动模式mode of vibration,中华人民共和国电子工业部1995-04-22批准1995-10-01实施,SJ/T 10639一1995,振动 体 在 边界条件下由于受到外加激励电场作用使各质点所产生的振动模型、振动频率,一 般 振 动模式有:,弯 曲 (flexural);,伸缩 (extensional);,面 切 变 (faces hear);,厚度 切 变 (thiknesss hear),3.10 基频晶体元件fundementar crystal unit,振 子 设 计工作在给定振动模式最低阶次上的晶体元件,3.11 泛音晶体元件overtone crystal unit,振 子 设 计工作在比给定振动模式最低阶次要高的阶次上的晶体元件,3.12 泛音次数overtone order,将 给 定 振动模式的逐次泛音从基颇作为1开始的一系列递增的整数，这些数为泛音次,数 。 对 切变和伸缩模式.其泛音次数是接近泛音频率与基频频率之比的一个整数,3.13 基频fundemental frequency,在 振 动 模式最低阶次的振动频率,3.14 泛音overtone,晶 体 振 动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍.这是它与电,气 谐 波 的主要区别,3.15 晶体盒crystal enclosure,保 护 振 子并具有与外电路电气连接作用的闭合容器,3.16 石英晶体元件插座crystal unit socket,用 以 固 定石英晶体元件并提供电连接的接插件,4 电性能,4.1 石英晶体元件等效电路orystat unit equivalent circuit,是 一 个 在谐振频率附近具有与石英晶体元件相同阻抗特性的电路。通常用一个电感、电,容 和 电 阻作串联臂，再与石英晶体元件两端电容并联来表示。串联电路参数电感、电容和,电阻 分 别 以L,,C,,R，表示，并电容(静电容)以Co表示。见图to,注 :石 英 晶体元件的频率有很多.详见SJ/Z 9157,4.2 谐振频率(f) resonancefr equency,在 规定 条 件下，石英晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个频率,4.3串联谐振频率(f,) seriesre sonancefr equency,石 英 晶 体元件等效电路图中串联臂电抗最小时的频率,;一I厂事,‘ 兀 y J 曰 1七碑1,4.4 反谐振频率(f,) anti一resonancef requency,在 规 定 条件下，石英晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较高的一个频率,4.5 负载谐振频率(fL) loadr esonancef requency,在规 定 条 件下，晶体元件与一负载电容相串联或并联，其组合阻抗呈现为电阻性时两个频,率 中 的 一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的那个频率;在并,Si/T 10639-1995,联负载电容时负载谐振频率则是其中较高的那个频率(见图2),对于某一给定的负载电容(CL)，实际这两个频率是相等的，即:,1 / L ,C ,( C- +C,),云= 2甘.了一六一一二二二一-，只~,f 匀七t十‘。十‘L,往 :石 英 晶体元件的有关预率很多.详见$J/Z 9157,4.6 并电容(C,) Parallelca pacitance,等 效 电 路中(图1)与串联臂并接的电容也称静电容,4.7 动态电容(Cl) motionalca pacitance,等 效 电 路中串联臂里的电容,4.8 动态电感(Lt ) motionalin ductance,等 效 电 路中申联臂里的电感,4.9 电容比(Y) ratioo fca pacitance,并 电 容 与动态电容……
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